本文聚焦上海澜芯半导体有限公司，介绍了其在2024年12月申请的“沟槽超结MOSFET的终端结构及工艺方法”专利，阐述了该专利终端结构的相关内容，还介绍了该公司的基本情况。
据金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局披露的信息表明，上海澜芯半导体有限公司提交了一项名为“沟槽超结MOSFET的终端结构及工艺方法”的专利申请。该专利的公开号为CN 119743990 A，申请日期定格在2024年12月。
从专利摘要可知，此发明推出了一种沟槽超结MOSFET的终端结构。首先会提供一个半导体衬底，这个半导体衬底上有外延层。在外延层里，既有沟槽超结MOSFET的原胞结构，又存在终端结构。其中，终端结构处于原胞结构的外围，其主要功能是对原胞结构进行隔离保护。
原胞结构中包含着沟槽超结MOSFET的栅极沟槽。而终端结构则包含至少一个隔离沟槽。在终端结构里，隔离沟槽的下方具备超结结构的P柱，隔离沟槽拥有BSG侧壁，还有厚度均匀的栅介质层，之后填充多晶硅形成悬浮栅。并且，终端结构区域的外延层中含有与原胞结构区域相同的P阱。
值得一提的是，该发明所提供的超结沟槽MOSFET的终端结构，其自身结构会依据对应的原胞结构区的结构做出灵活改变，能够适应更小原胞尺寸以及更高功率密度的功率MOSFET原胞结构，其工艺方法也能完全适配所对应的原胞结构的工艺流程。
通过天眼查资料我们还了解到，上海澜芯半导体有限公司于2022年成立，公司位于上海市，主要从事批发业。该企业注册资本达10000万人民币，实缴资本为3000万人民币。经过天眼查大数据分析，上海澜芯半导体有限公司在财产线索方面有7条商标信息、10条专利信息，此外企业还持有1个行政许可。
上海澜芯半导体有限公司申请的“沟槽超结MOSFET的终端结构及工艺方法”专利情况，包括专利的基本信息、终端结构特点等，还提及了该公司的成立时间、业务范围、资本情况以及相关财产线索等内容，展示了该公司在技术研发和企业运营方面的情况。
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