本文聚焦浙江创芯集成电路有限公司，介绍了其于2024年7月申请的“半导体结构及其形成方法”专利相关信息，包括专利公开号、摘要内容，还阐述了该公司的基本情况及相关经营数据。
在2025年3月22日金融界发布的消息中，据国家知识产权局信息披露，浙江创芯集成电路有限公司申请了一项具有重要意义的专利。该专利名为“半导体结构及其形成方法”，其公开号为CN 119650509 A，申请日期回溯到2024年7月。
从专利摘要可知，此发明实施例为半导体领域带来了新的技术方案。首先，会提供一个基底，这个基底有着明确的区域划分，包括第一区域和第二区域，其中第二区域巧妙地设置在第一区域的外围。接下来，会在第一区域的基底内部形成第一隔离槽，同时在第二区域的基底内形成第二隔离槽。值得注意的是，沿着平行于基底的表面方向去看，第二隔离槽的开口尺寸要比第一隔离槽的开口尺寸大。之后，会形成至少能填充满第二隔离槽的第一介质层和第二介质层，这里第二介质层位于第一介质层的上方，并且第二介质层是沿着第一介质层的底部向第一介质层的侧壁进行生成的。最后，去除高于第二隔离槽顶部的第一介质层和第二介质层，把剩余部分的第一介质层和第二介质层当作隔离结构。通过采用这样的技术方案，有望显著提高半导体结构的电学性能。
我们再把目光投向浙江创芯集成电路有限公司本身。根据天眼查资料，该公司成立于2020年，坐落于杭州市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。企业的注册资本高达182000万人民币，实缴资本也达到了134000万人民币。通过天眼查的大数据分析，可以发现该公司有着丰富的经营活动。它共对外投资了1家企业，积极参与招投标项目，次数多达245次。在财产线索方面，有商标信息14条，专利信息更是多达264条，此外企业还拥有4个行政许可。
本文围绕浙江创芯集成电路有限公司申请的“半导体结构及其形成方法”专利展开，介绍了专利的基本信息和主要内容，该专利有望提升半导体结构电学性能。同时还阐述了公司的基本情况和经营数据，展现了公司在行业中的活跃度和技术积累。本文总结
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