本文聚焦合肥中恒微半导体有限公司，介绍了其于2024年12月申请的“一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺”专利，阐述了该专利的具体步骤及优点，还对该公司的基本情况进行了说明。
据金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息表明，合肥中恒微半导体有限公司提出了一项名为“一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺”的专利申请。此专利公开号为CN 119694909 A，申请日期是2024年12月。
从专利摘要来看，本发明所涉及的是芯片制造技术领域，公开了一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺。具体步骤如下：第一步是芯片前处理，需准备好碳化硅功率器件芯片，并把芯片放置于清洗槽中。
该发明具有诸多显著优点。通过在芯片表面蒸镀特定厚度和顺序的镍层、金属钯层和金属铜层，同时制备具有梯度结构的缓冲层，其精确控制的电极层蒸镀工艺能够确保镀层均匀性和合适厚度。这一工艺避免了晶圆翘曲和缓冲失效等常见问题，为芯片构建了稳定的电气连接基础。而且，缓冲层的梯度结构十分独特，它能依据应力分布特点，从与电极层接触到与铜线接触时弹性模量逐渐降低。这种结构极大地提高了应力分散效果，显著提升了芯片在键合及后续使用过程中的可靠性，有效延长了芯片的使用寿命，降低了因芯片损坏而导致的产品失效风险。
天眼查资料显示，合肥中恒微半导体有限公司于2018年成立，公司位于合肥市，主要从事科技推广和应用服务业。企业注册资本达3620.6745万人民币，实缴资本为184.21万人民币。经过天眼查大数据分析可知，合肥中恒微半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次。在财产线索方面，该企业有商标信息5条，专利信息多达54条，此外还拥有6个行政许可。
本文介绍了合肥中恒微半导体有限公司申请的“一种碳化硅功率器件芯片铜化后铜线键合工艺”专利，说明了该专利的步骤和优点，同时介绍了公司的基本情况和相关商业信息，展现了该公司在半导体领域的技术实力和商业活动情况。
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