本文聚焦于铠侠股份有限公司申请的一项半导体相关专利，介绍了专利申请的时间、公开号等信息，并阐述了该专利在抑制存储单元劣化方面的作用及相关控制方法。
据金融界2025年3月22日消息，国家知识产权局公布的信息表明，铠侠股份有限公司提交了一项名为“半导体存储装置、存储系统以及控制方法”的专利申请。此专利的公开号为CN 119649877 A，申请日期追溯到2024年7月。
从专利摘要来看，该专利致力于提供一种可以有效抑制存储单元劣化的半导体存储装置、存储系统以及控制方法。具体而言，半导体存储装置的控制电路会进行一项重要判定，即判断写入对象的存储单元所具备的第一阈值电压是否高于根据该写入对象的存储单元中要存储的数据而确定的第二阈值电压。
当控制电路判定第一阈值电压高于第二阈值电压时，它会采取相应行动。为了让写入对象的存储单元能够存储所需的数据，控制电路会使用擦除电压，执行降低写入对象的存储单元所具有的阈值电压的擦除动作。
铠侠股份有限公司在2024年7月申请的“半导体存储装置、存储系统以及控制方法”专利，该专利旨在抑制存储单元的劣化，通过控制电路对阈值电压的判定和相应的擦除动作来实现。此专利的出现为半导体存储领域的发展带来了新的可能。本文总结
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