英诺赛科与意法半导体签署基于氮化镓功率技术开发与制造的联合开发协议，双方将共同推动该技术在多领域的应用，同时还提及董事会对此次合作的看法。
据格隆汇4月1日消息，英诺赛科（股票代码：02577.HK）正式对外发布一则重要公告。公告显示，英诺赛科与意法半导体（作为公司的独立第三方）达成了一项具有深远意义的联合开发协议，该协议聚焦于氮化镓功率技术的开发与制造。
在未来几年的时间里，双方计划携手合作，共同推动氮化镓功率技术在多个关键领域的广泛应用。这些领域涵盖了消费电子、数据中心、汽车以及工业电源系统等。可以预见，氮化镓功率技术在这些领域的应用，将为相关行业带来新的发展机遇和变革。
根据联合开发协议的具体内容，英诺赛科获得了使用意法半导体在中国以外地区制造产能的权限，用以生产其氮化镓晶圆。与此同时，意法半导体也能够利用英诺赛科在中国的制造产能来生产其自有的氮化镓晶圆。通过这种优势互补的合作模式，双方共同致力于拓展各自的氮化镓产品组合，进一步提升市场供应能力。不仅如此，这种合作方式还增强了供应链布局的灵活性和韧性，能够更好地满足客户对于多样化应用的需求。
对于此次合作，公司董事会持有积极的看法。董事会认为，意法半导体与英诺赛科的战略合作具有重要意义，将进一步扩大和加速氮化镓技术的普及。双方的团队将齐心协力，共同致力于开发下一代氮化镓技术，为行业的发展注入新的活力。
本文介绍了英诺赛科与意法半导体签署联合开发协议，共同推动氮化镓功率技术在多领域应用，双方通过产能互用拓展产品组合和市场供应能力，董事会看好合作将加速氮化镓技术普及并推动下一代技术开发。
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