北京智芯微电子科技有限公司在半导体技术领域的一项新专利“接触孔形成方法、半导体器件及芯片”，包括专利的公开信息、具体内容，还介绍了该公司的基本情况。
据金融界2025年3月22日发布的消息，国家知识产权局相关信息表明，北京智芯微电子科技有限公司成功申请了一项名为“接触孔形成方法、半导体器件及芯片”的专利。该专利的公开号为CN 119650515 A，申请日期追溯到2024年12月。
从专利摘要来看，此发明聚焦于半导体技术领域，提供了一种接触孔形成方法以及相关的半导体器件和芯片。具体而言，该接触孔形成方法包含以下关键步骤：首先，从半导体器件表面的接触孔划定位置对半导体器件进行刻蚀操作，以此去除接触孔划定位置的层间介质层和部分刻蚀停止层。值得注意的是，在接触孔划定位置自下而上依次分布着金属硅化物层、刻蚀停止层和层间介质层。接着，运用硅 – 钴 – 镍刻蚀工艺去除接触孔划定位置剩余的刻蚀停止层。之后，在划定接触孔的侧壁形成侧壁阻挡层，同时在划定接触孔的底部形成底部阻挡层。随后，利用刻蚀工艺去除部分底部阻挡层。最后，在划定接触孔内填充金属接触材料，从而形成接触孔。通过这样的发明方法，能够有效减少金属硅化物的过度消耗，防止硅化物出现侧向生长异常的情况，还可以降低底部阻挡层的厚度以及接触孔的电阻，进而显著提高器件性能。
根据天眼查提供的资料，北京智芯微电子科技有限公司于2013年成立，公司位于北京市，主要从事科技推广和应用服务业。该企业的注册资本为641018.943287万人民币，并且实缴资本同样为641018.943287万人民币。通过天眼查的大数据分析可知，北京智芯微电子科技有限公司在对外投资方面较为活跃，共对外投资了10家企业。在业务拓展上，参与招投标项目多达3515次。在财产线索方面，拥有商标信息125条，专利信息更是达到了2776条。此外，企业还拥有8个行政许可。
本文介绍了北京智芯微电子科技有限公司申请的“接触孔形成方法、半导体器件及芯片”专利，阐述了该专利的具体内容和优势，同时介绍了公司的基本情况和相关业务数据，显示出该公司在半导体技术领域的创新能力和发展态势。
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